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BP120系列扩散硅压力温度集成敏感芯片
    发布时间: 2023-10-07 11:15    

数字化系统协同设计、MEMS工艺制造

压力与温度扩散硅元件单片集成

BP120系列扩散硅压力温度集成敏感芯片

特点:


·数字化系统协同设计、MEMS工艺制造

 ·压力与温度扩散硅元件单片集成

 ·优良表面态和时漂特性

 ·多开/闭合惠斯登电桥连接形式

 ·智能传感器的核心芯片

 ·适于表压、绝压、差压与温度组合测量

 ·覆盖低、中、高宽压力量程范围



主要性能技术指标


序号

项目

规格指标

备注

1

组合敏感类型

表压-温度

绝压-温度

差压-静压-温度

表压-绝压-温度


2

硅晶圆类型

全硅单晶

SOI硅单晶


3

基准压力量程

表压、

绝压

差压


0~1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa

100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100MPa

0~1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、



过载能力

3倍基准量程(10MPa);1. 5倍基准量程(>10MPa);

1. 25倍基准量程(60MPa)

双向4倍基准量程

1*


桥路电阻

3~5kΩ


4

零点输出

±20mV

2*

5

满量程输出

≥20mV(20kPa、35kPa);≥30 mV(20kPa、30kPa);≥50 mV(其它基准量程)

2*

6

准确度

±0.15%FS (其它基准量程)±0.25%FS (≤60kPa、60MPa、100MPa);

 ± 0.5%FS(≤10kPa)

3*

7

工作温度

-55~+125℃;-55~+150℃


8

零点热漂移

6%FS/℃(≤10kPa)

≤ 4%F.S /55℃其它基准量程)

4*5*

9

满量程热漂移

10%FS/℃(≤10kPa)

≤ 8%F.S /55℃其它基准量程)

4*5*

10

PN结硬击穿电压

≥25V(I=10μA档)


11

短期稳定性

±0.05%FS/8h


12

供电电源

恒流0.5~1.5mA,或恒压5V~10V


13

电桥形式

闭桥


14

热敏电阻阻值

40~60kΩ

6*

15

热敏电阻温度系数

≥50Ω/

6*


芯片表面尺度

≤3.5×2.75mm)

≤2.3×2mm)

≤1.55×1.55mm)

7*


注:1*. 100MPa量程过载为本量程上限;

       2*. 5VDC恒压激励,恒温25℃;

3*.非线性数据计算为最小二乘法;    

       4*. 1mA恒流激励,恒温25℃

5*. 55℃温区为-30~25℃或25~80℃;

6*.可定制;   

 7*.硅片厚度c=500μm


可提供定制服务,如有需求请与营销人员联系。


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