沈阳北博电子科技有限公司
SHENYANG BEIBO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD.
数字化系统协同设计、MEMS工艺制造
压力与温度扩散硅元件单片集成
特点:
·数字化系统协同设计、MEMS工艺制造
·压力与温度扩散硅元件单片集成
·优良表面态和时漂特性
·多开/闭合惠斯登电桥连接形式
·智能传感器的核心芯片
·适于表压、绝压、差压与温度组合测量
·覆盖低、中、高宽压力量程范围
主要性能技术指标
序号
项目
规格指标
备注
1
组合敏感类型
表压-温度
绝压-温度
差压-静压-温度
表压-绝压-温度
2
硅晶圆类型
全硅单晶
SOI硅单晶
3
基准压力量程
表压、
绝压
差压
0~1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、10MPa
100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、 6MPa、10MPa、20MPa、20MPa、40MPa、60MPa、100MPa
0~1kPa、2kPa、3kPa、6kPa、10kPa、20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、200kPa、300kPa、600kPa、1MPa、2MPa、3MPa、6MPa、
过载能力
≥3倍基准量程(≤10MPa);≥1. 5倍基准量程(>10MPa);
≥1. 25倍基准量程(≥60MPa)
双向≥4倍基准量程
1*
桥路电阻
3~5kΩ
4
零点输出
≤ ±20mV
2*
5
满量程输出
≥20mV(20kPa、35kPa);≥30 mV(20kPa、30kPa);≥50 mV(其它基准量程)
6
准确度
≤ ±0.15%FS (其它基准量程);≤ ±0.25%FS (≤60kPa、≥60MPa、100MPa);
± 0.5%FS(≤10kPa)
3*
7
工作温度
-55~+125℃;-55~+150℃
8
零点热漂移
≤ 6%FS/℃(≤10kPa)
≤ 4%F.S /55℃(其它基准量程)
4*、5*
9
满量程热漂移
≤10%FS/℃(≤10kPa)
≤ 8%F.S /55℃(其它基准量程)
10
PN结硬击穿电压
≥25V(I=10μA档)
11
短期稳定性
±0.05%FS/8h
12
供电电源
恒流0.5~1.5mA,或恒压5V~10V
13
电桥形式
闭桥
14
热敏电阻阻值
40~60kΩ
6*
15
热敏电阻温度系数
≥50Ω/℃
芯片表面尺度
≤3.5×2.75(mm)
≤2.3×2(mm)
≤1.55×1.55(mm)
7*
注:1*. 100MPa量程过载为本量程上限;
2*. 5VDC恒压激励,恒温25℃;
3*.非线性数据计算为最小二乘法;
4*. 1mA恒流激励,恒温25℃;
5*. 55℃温区为-30~25℃或25~80℃;
6*.可定制;
7*.硅片厚度c=500μm。
可提供定制服务,如有需求请与营销人员联系。
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