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    BP220系列硅压阻压力/温度组合传感器
        发布时间: 2023-10-07 11:15    

    数字化系统协同设计、MEMS工艺制造

    微一体化、同步测量压力和温度




    BP220系列硅压阻压力/温度组合传感器





    特点:

    ·数字化系统协同设计、MEMS工艺制造

    ·微一体化、同步测量压力和温度

    ·一体化封装结构坚固可靠、性能稳定


    ·多种压力与温度类型组合、量程范围宽

    ·适于压力传感器智能化

     


    主要性能技术指标

    序号

    项目

    规格指标

    备注

    1

    组合敏感类型

    表压-温度

    绝压-温度

    差压-静压-温度

    表压-绝压-温度


    2

    压力敏感芯片类型

    PN结,SOI


    3

    温度元件类型

    扩散硅、薄膜铂电阻

    1*

    4

    基准压力量程

    表压、

    绝压

    差压

    静压


    20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa

    100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、60MPa

    0~1kPa、6kPa、10kPa、30kPa 、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa

    1MPa、6MPa

    10MPa

    30MPa

    1*


    压力过载能力

    表压、绝压单向3(10MPa)、1. 5倍基准量程(>10MPa)、1. 25倍基准量程(60MPa)

    差压双向4倍基准量程

    2*


    被测介质

    与金属、单晶硅兼容的非腐蚀性、绝缘气体和液体



    压力桥路电阻

    3~5kΩ、


    4

    零点输出

    ±1mV

    3*

    5

    压力满量程输出

    ≥20mV(20kPa、35kPa);≥30 mV(20kPa、30kPa);≥50 mV(其它基准量程)

    3*

    6

    压力准确度

    ±0.25%FS(典型值)

    3*4*

    7

    差压灵敏度对称性

    ±0.3%FS(典型值)


    8

    工作温度

    -55~+125℃(PN结),-55~+180℃(SOI)

    5*1*

    9

    零点热漂移

    PN结:≤±1.5%FS/55℃(≤10kPa)±1%F.S /55℃其它基准量程)

    3*6*

    SOI:≤± 1%FS/55℃(≤10kPa± 0.8%F.S /55℃其它基准量程)

    10

    满量程热漂移

    PN结芯片:≤1.5%FS/55℃(≤10kPa);±1%F.S /55℃其它基准量程)

    3*6*

    SOI芯片:≤±1%FS/55℃(≤10kPa± 0.8%F.S /55℃其它基准量程)

    11

    绝缘电阻

    >100MW  

    8*

    12

    短期稳定性

    ±0.05%FS/8h

    3*

    13

    长期稳定性

    ±0.1%FS/年(PN结);±0.08%FS/年(SOI)

    3*

    14

    激励电源

    恒流0.5~1.5mA,或恒压5V~10V


    15

    热敏电阻阻值

    扩散硅40~60kΩ;铂薄膜Pt100、Pt200、Pt500、Pt500


    16

    热电阻温度系数

    扩散硅≥30Ω/℃;铂薄膜3850ppm/℃



    电气连接模式

    接插件、多芯线缆


    17

    测量接口形式

    螺纹、法兰



    注:1*.可用户定制; 

          2*.表压和绝压量程上限之差≤最小量程上限3倍;     

          3*. 5VDC恒压激励,恒温25℃;

          4*.非线性数据计算为最小二乘法

          5*.-55℃为器件最低温度,125℃为PN结器件最高温度;

          6*.55℃温区为-30~25℃或25~80;


    可提供定制服务,如有需求请与营销人员联系。

     


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