沈阳北博电子科技有限公司
SHENYANG BEIBO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD.
数字化系统协同设计、MEMS工艺制造
微一体化、同步测量压力和温度
特点:
·数字化系统协同设计、MEMS工艺制造
·微一体化、同步测量压力和温度
·一体化封装结构坚固可靠、性能稳定
·多种压力与温度类型组合、量程范围宽
·适于压力传感器智能化
主要性能技术指标
序号
项目
规格指标
备注
1
组合敏感类型
表压-温度
绝压-温度
差压-静压-温度
表压-绝压-温度
2
压力敏感芯片类型
PN结,SOI
3
温度元件类型
扩散硅、薄膜铂电阻
1*
4
基准压力量程
表压、
绝压
差压
静压
20kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa
100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、60MPa
0~1kPa、6kPa、10kPa、30kPa 、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa
1MPa、6MPa
10MPa
30MPa
压力过载能力
表压、绝压单向≥3(≤10MPa)、≥1. 5倍基准量程(>10MPa)、≥1. 25倍基准量程(≥60MPa)
差压双向≥4倍基准量程
2*
被测介质
与金属、单晶硅兼容的非腐蚀性、绝缘气体和液体
压力桥路电阻
3~5kΩ、
零点输出
≤ ±1mV
3*
5
压力满量程输出
≥20mV(20kPa、35kPa);≥30 mV(20kPa、30kPa);≥50 mV(其它基准量程)
6
压力准确度
≤ ±0.25%FS(典型值)
3*、4*
7
差压灵敏度对称性
≤ ±0.3%FS(典型值)
8
工作温度
-55~+125℃(PN结),-55~+180℃(SOI)
5*、1*
9
零点热漂移
PN结:≤±1.5%FS/55℃(≤10kPa);≤±1%F.S /55℃(其它基准量程)
3*、6*
SOI:≤± 1%FS/55℃(≤10kPa)≤± 0.8%F.S /55℃(其它基准量程)
10
满量程热漂移
PN结芯片:≤1.5%FS/55℃(≤10kPa);≤±1%F.S /55℃(其它基准量程)
SOI芯片:≤±1%FS/55℃(≤10kPa)≤± 0.8%F.S /55℃(其它基准量程)
11
绝缘电阻
>100MW
8*
12
短期稳定性
±0.05%FS/8h
13
长期稳定性
≤±0.1%FS/年(PN结);≤±0.08%FS/年(SOI)
14
激励电源
恒流0.5~1.5mA,或恒压5V~10V
15
热敏电阻阻值
扩散硅40~60kΩ;铂薄膜Pt100、Pt200、Pt500、Pt500
16
热电阻温度系数
扩散硅≥30Ω/℃;铂薄膜3850ppm/℃
电气连接模式
接插件、多芯线缆
17
测量接口形式
螺纹、法兰
注:1*.可用户定制;
2*.表压和绝压量程上限之差≤最小量程上限3倍;
3*. 5VDC恒压激励,恒温25℃;
4*.非线性数据计算为最小二乘法;
5*.-55℃为器件最低温度,125℃为PN结器件最高温度;
6*.55℃温区为-30~25℃或25~80;
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