1

组合敏感类型

表压-温度

绝压-温度

表压-绝压-温度差

压-静压-温度

2

压力敏感芯片材质

SOI硅单晶

3

温度元件类型

扩散硅、薄膜铂电阻

4

基准压力量程

表压、

绝压

差压

静压

1^*

30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa

100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、

10kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa

1MPa、6MPa、

10MPa、30MPa

2^*

5

压力过载能力

表压、绝压单向≥3倍（≤10MPa）、≥2倍（＞10MPa）

差压双向≥5倍基准量程

1^*

6

被测介质

与金属、单晶硅兼容的非腐蚀性、绝缘气体和液体

7

激励电源

 12±4VDC或 24±4VDC

8

输出阻抗

200Ω（典型值）

3^*

9

压力输出信号模式

0.5～5VDC

2^*、3^*、4^*

10

压力准确度

≤ ±0.25%FS （典型值）

3^*、4^*

11

工作温度

-55～+125℃；-55～+180℃；-55～+240℃；-55～+300℃；

5^*、6^*、2^*

12

热零点漂移

≤± 1%FS/55℃

7^*

13

热灵敏度漂移

  ≤±1%F.S /55℃

7^*

14

热电阻标称阻值

扩散硅30～60kΩ；铂薄膜Pt100，Pt200，Pt500、Pt1000；

2^*

15

热电阻温度系数

扩散硅≥30Ω/℃；铂薄膜3850ppm/℃；

2^*

16

绝缘电阻

>100MW

3^*、8^*

17

短期稳定性

±0.05%FS/8h

3^*

18

长期稳定性

≤±0.1%FS/年

3^*

19

电气连接形式

多芯线缆

20

测量接口形式

外螺纹、法兰