‼️五十年代：奠基
1952年，成立电子计算机科研小组，由中科院数学所所长华罗庚负责；
1956年，半导体技术作为四大紧急措施之一写入中科院的学部委员们编撰德《十二年科学技术发展远景规划》，获得批示；
‼️六七十年代：前进
1966年，中科院下属109厂与上海光学仪器厂协作，研制成功我国第一台65型接触式光刻机；
1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺；
1971年，清华大学精密仪器系教师徐端颐，回京负责新一代光刻机的研发；
1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》；
1977年，光刻机座谈会在江苏吴县召开；
1977年，中国第一台GK-3型半自动接触式光刻机诞生，与国际水平有一定差距；
1978年，中科院1445所升级开发GK-4，仍为接触式，中美技术差距20年；
‼️八十年代前期：仅次美国，比肩日韩
1980年，徐端颐及其团队研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平；
1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机；
1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年差距；
1984年，“拨改贷”，众多半导体项目无奈停止；
1985年，中电科45所研制出分步投影式光刻机，通过电子部技术鉴定，认为达到1978年美国GCA公司推出的4800DSW水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。后来的光刻机巨头ASML公司刚刚诞生。
（国内半导体产业薄弱，虽有光刻机，没有市场，也就没有商业化，机器都只是实验室摆放，相关研究成果及论文，在通过专家评审后即被束之高阁，之后与国外差距越来越大。“纸上谈兵”，应该是对这个阶段中国光刻机技术的最好注解。）

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